KBL410 KBL610 실리콘 브리지 정류기 KBPC610 이산 반도체 제품
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: MDD
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KBL410 KBL610 KBU610 KBU810 KBU1010 KBU1510 KBU2510 KBPC610 KBL 시리즈
실리콘 브리지 정류기 다이오드-브리지 정류기 - 이산 반도체 제품 트랜지스터
설명:
스루홀 실리콘 브리지 정류기, KBL 시리즈, KBL410 유형, 4핀, 역전압 1000V Max.순방향 전류 최대 4A작동 온도범위 -65°C ~+150°C, 대량 패키지, 500개/상자 RoHS/RoHS III 준수
부품 코드:KBL4100000L40A
특징
플라스틱 패키지에는 Underwrite Lab... 더보기
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TIP122 TIP127 TIP142P NPN PNP 트랜지스터 양극성 이산 반도체
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: STMicroelectronics
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TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P
보완 NPN - PNP 트랜지스터 바이폴라 이산 반도체 제품
보완 전력 트랜지스터
설명:
장치는 "베이스 아일랜드" 레이아웃의 평면 기술로 제조됩니다.결과 트랜지스터는 매우 낮은 포화 전압과 결합된 탁월한 고이득 성능을 보여줍니다.
특징
■ 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압
■ 보완 NPN - PNP 트랜지스터
애플리케이션
■ 범용
■ 오디오 앰프
부품 번호
설명
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D15XB100 유도 밥솥 브리지 정류기 15A 1000V SIP4
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: SHINDENGEN
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D15X100 D15XB100 SHINDENGEN 브리지 정류기 15A 1000V SIP4 유도 밥솥
제품 기술 사양
부품 번호
D15X100
기본 부품 번호
D15XB100
EU RoHS
면제 준수
ECCN(미국)
EAR99
부품 상태
활동적인
HTS
8541.29.00.95
SVHC
네
SVHC가 임계값 초과
네
자동차
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06N90E FMV06N90E FMH06N90E 이산 반도체 900V 6A
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: FUJI
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06N90E FMV06N90E FMH06N90E MOSFET 900V 6A ~ 220F 전자 부품
06N90E FMV06N90E FMH06N90E MOSFET 900V 6A ~ 220F
제품 기술 사양
부품 번호
FMV06N90E FMH06N90E
기본 부품 번호
06N90E
EU RoHS
면제 준수
ECCN(미국)
EAR99
부품 상태
활동적인
HTS
8541.29.00.95... 더보기
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GT50N322A 50N322 IGBT N 채널 이산 반도체 스루홀 실장
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: Toshiba America Electronic Components
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GT50N322A 50N322 Toshiba America Electronic Components IGBT N-Channel 1000V 3-Pin TO-3P(N) DISCRETE IGBT Components
제품 기술 사양
부품 번호
GT50N322A
기본 부품 번호
50N322
EU RoHS
면제 준수
ECCN(미국)
EAR99
부품 상태
활동적인
HTS
8541.29.00.95
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Infineon HEXFET 전력 MOSFET N 채널 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-채널 55V 30A DPAK 이산 반도체 제품
N-채널 55V 30A(Tc) 120W(Tc) 표면 실장 D-Pak
설명
이 HEXFET® 전력 MOSFET은 최신 처리 기술을 활용하여 실리콘 영역당 매우 낮은 온 저항을 달성합니다.
이 제품의 추가 기능은 175°C 접합 작동 온도, 빠른 스위칭 속도 및 개선된 반복 애벌랜치 정격입니다.이러한 기능이 결합되어 이 설계는 다양... 더보기
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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET 전력 MOSFET IRFB7440PBF 40V 120A
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A 트랜지스터 TO-220AB HEXFET FET MOSFET
트랜지스터 N-Channel 180A 200W 스루홀 TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
설명:
이 HEXFET® 전력 MOSFET은 최신 처리 기술을 활용하여 실리콘 영역당 매우 낮은 온 저항을 달성합니다.이 ... 더보기
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IRF1404ZPBF N 채널 트랜지스터 180A 200W HEXFET FET MOSFET
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRF1404ZPBF 트랜지스터 N-채널 180A 200W 스루홀 TO-220AB HEXFET FET MOSFET
N-채널 180A(Tc) 200W(Tc) 스루홀 TO-220AB 사양:
범주
이산 반도체 제품
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
Mfr
인피니언 테크놀로지스
시리즈
헥스펫®
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BTA16-800CW BTA16 TRIAC 사이리스터 800V 16A 이산 반도체
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: STMicroelectronics
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BTA16-800CW TRIAC 표준 800 V 16 A 스루홀 TO-220 이산 반도체 제품 사이리스터 --TRIAC 표준 800V 16A 스루홀 TO-220 T1610, T1635, T1650 BTA16, BTB16Snubberless™, 로직 레벨 및 표준 16A Triacs 데이터시트 애플리케이션• 특히 권장되는 스너버리스 버전(BTA/BTB...W 및 T1635)높은 정류 성능 때문에 유도 부하에 사용• 정적 계전기, 조명과 같은 응용 분야에서 켜기/끄기 또는 위상각 기능조광기 및 기기 모터 속도 컨트롤러 설명:스루홀 또는... 더보기
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IHW30N160R2 IGBT 트랜지스터 H30R1602 전력 반도체
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IHW30N160R2 IGBT 트랜지스터 H30R1602 소프트 스위칭 시리즈 전력 반도체 IC IHW30N160R2FKSA1소프트 스위칭 시리즈
신청:
• 인덕티브 쿠킹
• 소프트 스위칭 애플리케이션
설명:
TrenchStop® 역전도(RC-)IGBT(모놀리식 바디 다이오드 포함)
특징:
• 순방향 전압이 매우 낮은 강력한 모놀리식 바디 다이오드
• 바디 다이오드는 음의 전압을 클램프합니다.
• 1600V 애플리케이션을 위한 Trench 및 Fieldstop 기술은 다음을 제공합니다.
- 매우 엄격한 매개변수 분포... 더보기
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IXYS IXGH24 고전압 IGBT 이산 반도체 IXGH24N170
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: IXYS
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IXGH24N170 IXYS 고전압 IGBT IXGH24 IGBT 1700V 50A 250W TO247AD 이산 반도체 제품
사양: 고전압 IGBT NPT 1700V 50A 250W 스루 홀 TO-247AD
부품 번호
IXGH24N170
범주
이산 반도체 제품
트랜지스터 - IGBT - 단일
Mfr
익시스
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PBHV8540X PBHV8540 넥스페리아 양극 BJT 트랜지스터 이산 반도체
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: Nexperia USA Inc.
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PBHV8540X PBHV8540 넥스페리아 양극성 (BJT) 트랜지스터 500V 0.5 NPN NPN 고전압 로우 프시스트 (비스) 트랜지스터
이산 반도체 제품-A NPN 고전압 낮은 프시스트 (비스) 트랜지스터
기술 :
SOT89 (SC-62) 중간 파워와 플랫 리드 표면 실장 소자 (SMD) 플라스틱 패키지에서 소신호 (비스) 트랜지스터에서 NPN 고전압 낮은 프시스트 타결. PNP 보충물 : PBHV9040X.
애플리케이션 :
LED 체인 모듈을 위한 오우 LED 드라이버
오우 LCD 배경 ... 더보기
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BTS282Z E3230 TO220-7 엔-채널 MOSFET 49V 80A 트랜지스터 페트스
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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BTS282Z E3230 TO220-7 엔-채널 MOSFET 49V 80A 트랜지스터 페트스
인피니언 테크놀러지로부터의 BTS282ZE3230AKSA2 파워 모스펫. 그것의 최대 파워 분해는 300000 mW입니다.
부품이 벌크 포장에 의해 손상되지 않는다는 것을 보증하기 위해, 이 제품은 조금 더 추가되기 위해 패키징하는 튜브에 들어옵니다
풀린 부품을 외관에 저장하는 것에 의한 보호.
이 MOSFET 트랜지스터는 -40 'Ｃ 내지 175 'Ｃ의 작동 온도 범위를 가집니다.
이 n채널 MOSFET 트랜지스터는... 더보기
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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS 트렌치 MOS 배리어 쇼트키 정류기
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: Vishay General Semiconductor
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V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor 고전류 밀도 TMBS 트렌치 MOS 배리어 쇼트키 정류기 DPAK 이산 소자 반도체 제품 V20PWM45:고전류 밀도 표면 실장 TMBS®(Trench MOS Barrier Schottky) 정류기 초저 VF = 0.35V(IF = 5A)V20PWM45C고전류 밀도 표면 실장 TMBS®(Trench MOS Barrier Schottky) 정류기 초저 VF = 0.39V(IF = 5A) 애플리케이션저전압 고주파 DC/DC 컨버터에 사용하기 위해,프리휠링 ... 더보기
{"cid":"52884","pid":"14527584","pimg_url":"\/\/img1.ecerimg.com\/d4\/b8\/938ac9b1e21f\/product\/37025760_s-w400xh400.jpg","name":"V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS \ud2b8\ub80c\uce58 MOS \ubc30\ub9ac\uc5b4 \uc1fc\ud2b8\ud0a4 \uc815\ub958\uae30","attrs":{"\uac00\uaca9":"Negotiated","MOQ":"10","\ubc30\ub2ec \uc2dc\uac04":"2-15days","\uc0c1\ud45c":"Vishay General Semiconductor"}}
F3L400R07W3S5B11 F3L400R07W3S5_B59 F3L400R07W3S5BPSA1 F3L400R07W3S5 IGBT 모듈
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: Negotiable
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F3L400R07W3S5B11 650V 200A 3 레벨 인버터 IGBT 모듈 F3L400R07W3S5B11BPSA1
F3L400R07W3S5B11 F3L400R07W3S5_B59 IGBT 모듈
응용 프로그램:
모션 컨트롤 - 가전 / 산업용 모터
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NXH160T120L2Q2F2S1G IGBT 모듈 1200V 160A 및 650V 100A IGBT전력 통합 모듈(PIM)
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: Negotiable
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NXH160T120L2Q2F2S1G IGBT 모듈 1200V 160A 및 650V 100A IGBTPower 통합 모듈 (PIM)
전력 통합 모듈 PIM IGBT 1200V 160A 및 650V 100A NXH160T120L2Q2F2S1G
응용 프로그램:
모션 컨트롤 - 가전 / 산업용 모터
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NXH450N65L4Q2F2SG I형 NPC 650V 450A IGBT 650V 375A 다이오드 솔더 핀 전력 통합 모듈(PIM)
가격: Negotiated
MOQ: 1
배달 시간: Negotiable
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NXH450N65L4Q2F2SG I형 NPC 650V 450A IGBT 650V 375A 다이오드 솔더 핀 전력 통합 모듈 (PIM)
응용 프로그램:
모션 컨트롤 - 가전 / 산업용 모터
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NXH80T120L2Q0S2G 1200V 67A 158W 20-PIM IGBT 모듈
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: Negotiable
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NXH80T120L2Q0S2G 1200V 67A 158W 20-PIM IGBT 모듈
NXH80T120 전력 통합 모듈(PIM) T-타입 NPC 1200V 80A IGBT 600V 50A IGBT 납땜 가능 NXH80T120L2Q0S2G
응용 분야:
모션 제어 - 가전제품 / 산업용 모터
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NXH160T120L2Q1SG NXH160T120 IGBT 모듈 1200V 140A 280W 30-PIM
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: Negotiable
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NXH160T120 IGBT 모듈 1200V 140A 280W IGBT 전력 통합 모듈 (PIM)
NXH160T120 IGBT MOD 1200V 140A 280W 30-PIM NXH160T120L2Q1SG
응용 프로그램:
모션 컨트롤 - 가전 / 산업용 모터
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I2C 버스 조절 증폭기 IC TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: Philip
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TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS I2C 버스는 최고 앰프 효율성 IC을 제어했습니다
특징을 개요
TDF8546은 보완적 쿼드 브리지-타이드 부하 (BTL) 오디오 능력 증폭기의 새로운 세대 중 하나가 자동차 애플리케이션을 의도했다는 것 입니다. 그것은 가득 찬 I와 최고 효율 모드를 가지고 있습니다2조업을 개시한 진단을 포함하여 C-버스는 진단을 제어했습니다. TDF8546은 이 증폭기를 정지 / 자동차 시작 수술에 적합하게 하여 6 Ｖ만큼 낮게 배터리 전압에 작동할 수... 더보기
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