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| 가격 | Negotiated |
| MOQ | 10 |
| 배달 시간 | 2-15days |
| 상표 | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| 원산지 | 중국 |
| Certification | ROHS |
| Model Number | IRLR3915TRPBF |
| 패키징 세부 사항 | 표준 패키지 |
| 지불 기간 | 전신환, 웨스턴 유니온 |
| 공급 능력 | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Model Number | IRLR3915TRPBF |
| Certification | ROHS | 원산지 | 중국 |
| 최소 명령량 | 10 | Price | Negotiated |
| 지불 기간 | 전신환, 웨스턴 유니온 | 공급 능력 | 500000PCS |
| 배달 시간 | 2-15days | 패키징 세부 사항 | 표준 패키지 |
| 가족 | 이산 반도체 제품 | 범주 | 전자 부품-MOSFET(금속 산화물) |
| 시리즈 | HEXFET MOSFET(금속 산화물) | 기저부 수 | IRLR3915 |
| 세부 사항 | N-채널 55V 30A(Tc) 120W(Tc) 표면 실장 D-Pak | 타입 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 기술 | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 패키지 | TO-252-3, DPak(2 리드 + 탭), SC-63 |
| 증가하는 타입 | 표면 부착 | 주식 | 재고 중 |
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-채널 55V 30A DPAK 이산 반도체 제품
N-채널 55V 30A(Tc) 120W(Tc) 표면 실장 D-Pak
설명
이 HEXFET® 전력 MOSFET은 최신 처리 기술을 활용하여 실리콘 영역당 매우 낮은 온 저항을 달성합니다.
이 제품의 추가 기능은 175°C 접합 작동 온도, 빠른 스위칭 속도 및 개선된 반복 애벌랜치 정격입니다.이러한 기능이 결합되어 이 설계는 다양한 응용 분야에서 사용할 수 있는 매우 효율적이고 안정적인 장치입니다.
특징 :
첨단 공정 기술 초저 온저항 175°C 작동 온도 빠른 스위칭 반복적 애벌랜치 최대 Tjmax 허용 D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
| 부품 번호 | IRLR3915TRPBF |
| 기본 부품 번호 | IRLR3915 |
| EU RoHS | 면제 준수 |
| ECCN(미국) | EAR99 |
| 부품 상태 | 활동적인 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
|
범주
|
이산
반도체
제품
|
|
트랜지스터
-
FET,
MOSFET
-
단일
|
|
|
Mfr
|
인피니언
테크놀로지스
|
|
시리즈
|
헥스펫®
|
|
패키지
|
테이프
및
릴(TR)
|
|
부품
상태
|
활동적인
|
|
FET
유형
|
N-채널
|
|
기술
|
MOSFET(금속
산화물)
|
|
드레인-소스
전압(Vdss)
|
55V
|
|
전류
-
연속
드레인(Id)
@
25°C
|
30A(Tc)
|
|
구동
전압(최대
Rds
켜기,
최소
Rds
켜기)
|
5V,
10V
|
|
Rds
켜기(최대)
@
ID,
Vgs
|
14mOhm
@
30A,
10V
|
|
Vgs(th)(최대)
@
ID
|
3V
@
250µA
|
|
게이트
전하(Qg)(최대)
@
Vgs
|
92nC
@
10V
|
|
Vgs(최대)
|
±16V
|
|
입력
커패시턴스(Ciss)(최대)
@
Vds
|
1870pF
@
25V
|
|
FET
기능
|
-
|
|
전력
손실(최대)
|
120W(Tc)
|
|
작동
온도
|
-55°C
~
175°C(TJ)
|
|
장착
유형
|
표면
실장
|
|
공급업체
장치
패키지
|
디팍
|
|
패키지/케이스
|
TO-252-3,
DPak(2
리드
+
탭),
SC-63
|
|
기본
제품
번호
|
IRLR3915
|
