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| 가격 | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| 배달 시간 | 2-15days |
| 상표 | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| 원산지 | 말레이시아 |
| Certification | ROHS |
| 모델 번호 | BTS282Z E3230 |
| 패키징 세부 사항 | 표준 패키지 |
| 지불 기간 | 전신환, 웨스턴 유니온 |
| 공급 능력 | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | 모델 번호 | BTS282Z E3230 |
| Certification | ROHS | 원산지 | 말레이시아 |
| 최소 명령량 | 10개 부분 | Price | Negotiated |
| 지불 기간 | 전신환, 웨스턴 유니온 | 공급 능력 | 500000PCS |
| 배달 시간 | 2-15days | 패키징 세부 사항 | 표준 패키지 |
| 가족 | 이산 반도체 제품 | 범주 | 전자 부품-MOSFET(금속 산화물) |
| 시리즈 | 파워 모스펫 | 기저부 수 | BTS282Z |
| 세부 사항 | 트랜스 MOSFET N-CH 49V 80A 자동차 7-Pin(7+Tab) TO-220 | 타입 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 기술 | 엔-채널 MOSFET 49V 80A | 패키지 | TO220-7 |
| 증가하는 타입 | 관통 홀 | 주식 | 재고 중 |
BTS282Z E3230 TO220-7 엔-채널 MOSFET 49V 80A 트랜지스터 페트스
인피니언 테크놀러지로부터의 BTS282ZE3230AKSA2 파워 모스펫. 그것의 최대 파워 분해는 300000 mW입니다.
부품이 벌크 포장에 의해 손상되지 않는다는 것을 보증하기 위해, 이 제품은 조금 더 추가되기 위해 패키징하는 튜브에 들어옵니다
풀린 부품을 외관에 저장하는 것에 의한 보호.
이 MOSFET 트랜지스터는 -40 'Ｃ 내지 175 'Ｃ의 작동 온도 범위를 가집니다.
이 n채널 MOSFET 트랜지스터는 증가 모드에서 작동합니다.
상술 :
|
범주
|
분리된
반도체
제품
|
|
트랜지스터
-
페트스,
모스페트스는
-
단타를
날립니다
|
|
|
엠에프르
|
인피니언
테크놀러지
|
|
시리즈
|
TEMPFET®
|
|
패키지
|
튜브
|
|
상태
부분
|
퇴역항공기
|
|
FET은
타이핑합니다
|
엔-채널
|
|
기술
|
MOSFET
(금속
산화물)
|
|
소스
전압
(프즈스)에
고갈되세요
|
49
Ｖ
|
|
경향
-
25'
Ｃ에
있는
연속배수
(Id)
|
80A
(Tc)
|
|
구동
전압
(Rds를에
민
Rds에
최대한으로
씁니다)
|
4.5V,
10V
|
|
Id,
브그스에
있는
(맥스)
위의
Rds
|
36A,
10V에
있는
6.5mOhm
|
|
Id에
있는
Vgs(th)
(맥스)
|
240uA에
있는
2V
|
|
게이트는
브그스에
(큐그에게)
(맥스)를
청구합니다
|
10
Ｖ에
있는
232
nC
|
|
브그스
(맥스)
|
±20V
|
|
Vds에
있는
입력
커패시턴스
(CIS)
(맥스)
|
25
Ｖ에
있는
4800
pF
|
|
FET
특징
|
온도
감지
다이오드
|
|
전력
소모
(맥스)
|
300W
(Tc)
|
|
작동
온도
|
-40'
Ｃ
~
175'
Ｃ
(TJ)
|
|
증가하는
타입
|
관통
홀
|
|
공급자
소자
패키지
|
P-TO220-7-230
|
|
패키지
/
건
|
TO-220-7
|
| 특성 | 기술 |
|---|---|
| 로에스 상태 | 순응한 ROHS3 |
| 습도 감지 수준 (MSL) | (제한 없는) 1 |
| 한계 상태 | 한계는 영향을 주지 않았습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
| 부품번호 | BTS282Z E3230 |
| 기저부 수 | BTS282Z |
| EU 로에스 | 예외로 순응합니다 |
| ECCN (우리) | EAR99 |
| 상태 부분 | 활동가 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
