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| 가격 | Negotiable |
| MOQ | 25 Pieces |
| 배달 시간 | 1 - 4 weeks |
| 상표 | BonTek |
| 원산지 | 중국 |
| Certification | ISO:9001, ISO:14001 |
| 모델 번호 | 실리콘 웨이퍼 |
| 패키징 세부 사항 | 카세트 / 병이 PE 거품과 통을 심었습니다. |
| 지불 기간 | 전신환 |
| 공급 능력 | 100000개 부분 / 달 |
| Brand Name | BonTek | 모델 번호 | 실리콘 웨이퍼 |
| Certification | ISO:9001, ISO:14001 | 원산지 | 중국 |
| 최소 명령량 | 25개 | Price | Negotiable |
| 지불 기간 | 전신환 | 공급 능력 | 100000개 부분 / 달 |
| 배달 시간 | 1일부터 4일까지 주 | 패키징 세부 사항 | 카세트 / 병이 PE 거품과 통을 심었습니다. |
| 재료 | 실리콘 웨이퍼 | 서피스 | 양면 광택, 단면 광택, 랩 |
| 지름 | 2일부터 12일까지 또는 필요에 따라 | 두께 | 0.05mm - 10mm |
| 배향 | <100> <111>, , <110> | 비저항 | 0.001 - 300 오옴 / 센티미터 |
| 타입 | 본질적인 p 형, 앤형 | 불순물 | 비, 페하, 것처럼 또는 언도핑됩니다 |
반도체를 위한 높은 저항성과 붕소 도핑된 인 도핑 실리콘 웨이퍼
실리콘 웨이퍼는 순수한 결정 실리콘의 얇은 조각입니다. 웨이퍼의 이러한 순수한 형태는 정상적으로 언도핑되거나 진성 실리콘 웨이퍼로 불립니다. 반도체 산업에서 실리콘 웨이퍼를 사용하기 위한 이유 중 하나는 실리콘의 자연 존재비입니다. 그것은 보통 SiO2의 모양으로 발견되는 것으로 도대체 발견된 가장 풍부한 물질 중 하나입니다. 실리콘을 사용하는 또 다른 이유는 실리콘의 전기 특성이 정확히 불순물의 추가에 의해 제어될 수 있다는 것입니다. 붕소와 같은 음란으로 도핑되는 실리콘 웨이퍼는 Ｐ 유형 웨이퍼를 만들고 비소로 도핑되거나 인을 함유한 웨이퍼가 n형의 웨이퍼를 만듭니다. 앤형 웨이퍼가 그 안에서 여러 부정적 대전 전자를 가지고 있지만 p 형 웨이퍼는 여러 긍정적 긴장된 홀을 가지고 있습니다.
|
세미 표준 |
2 " (50.8mm) |
3 " (76.2mm) |
4 " (100mm) |
5 " (125mm) |
6 " (150mm) |
8 " (200mm) |
12 " (300mm) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
지름 |
50.8 ± 0.38 밀리미터 | 76.2 ± 0.63 밀리미터 | 100 ± 0.5 밀리미터 | 125 ± 0.5 밀리미터 | 150 ± 0.2 밀리미터 | 200 ± 0.2 밀리미터 | 300 ± 0.2 밀리미터 |
|
두께 |
279 ± 25 um | 381 ± 25 um |
525
±
20
um
또는 625 ± 20 um |
625 ± 20 um |
675
±
20
um
또는 625 ± 15 um |
725 ± 20 um | 775 ± 20 um |
|
타입 |
Ｐ, 엔 또는 본질적입니다 |
||||||
|
불순물 |
비, 페하, 것처럼 또는 언도핑됩니다 |
||||||
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배향 |
, , |
||||||
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르시스티비티 |
0.001 - 300 오옴 / 센티미터 |
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1차 플래트 길이 |
15.88 ± 1.65 밀리미터 | 22.22 ± 3.17 밀리미터 | 32.5 ± 2.5 밀리미터 | 42.5 ± 2.5 밀리미터 | 57.5 ± 2.5 밀리미터 | 눈금 | 눈금 |
|
2차 플래트 길이 |
8 ± 1.65 밀리미터 | 11.18 ± 1.52 밀리미터 | 18 ± 2.0 밀리미터 | 27.5 ± 2.5 밀리미터 | 37.5 ± 2.5 밀리미터 | NA | NA |
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표면가공도 |
식각되거나 싸이는 SSP, DSP | ||||||
수입 감사
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