스테파노프의 방법 그로운 사파이어 웨이퍼 2Inch 3 인치당 4 인치당 6 인치당 R-주축 M-비행기

가격	Negotiable
MOQ	5 Pieces
배달 시간	1-4 weeks
상표	BonTek
원산지	중국
Certification	ISO:9001
모델 번호	사파이어 (Al2O3)
패키징 세부 사항	카세트, 병, 필름 패키지
지불 기간	전신환
공급 능력	10000개 부분 / 달

제품 세부 정보

제품 사양

Brand Name	BonTek	모델 번호	사파이어 (Al2O3)
Certification	ISO:9001	원산지	중국
최소 명령량	5개 부분	Price	Negotiable
지불 기간	전신환	공급 능력	10000개 부분 / 달
배달 시간	1-4 주	패키징 세부 사항	카세트, 병, 필름 패키지
재료	사파이어 웨이퍼	타입	단일 결정
색	하얀 / 빨강 / 파란색	성장법	수평적으로 향하는 결정화 (HDC)
서피스	양측 사이드 니스	VIS는 이릅니다	85%
애플리케이션	반도체 웨이퍼, LED 칩, 광학 유리창, 전자 세라믹스	산업	주도하는, 광학유리, 엘리 준비된 웨이퍼

제품 설명

스테파노프의 방법 그로운 사파이어 웨이퍼 2Inch 3 인치당 4 인치당 6 인치당 R-주축 M-비행기

사파이어 막대기, 파이프와 테이프를 포함하여 스테파노프의 방법은 다양한 구성에 대한 단결정 사파이어 빛 세부 사항의 성장을 위해 사용됩니다.

수평적으로 향하는 결정화의 방법은 넓게 큰 사파이어 빛 단결정을 종합에서 사용됩니다. 향하는 결정화와 구역 용융의 요소는 성공적으로 결합하여 고라이즌톨리 향하 결정화 (HDC) 방법이 됩니다. 보트형을 가지고 있다면서, 크리스탈은 가열로 장입과 컨테이너를 따라 더 로컬 용융된 부분의 느린 이동에 성장합니다. 수평선상 향하는 결정화 방법은 횡단면의 작은 사이즈 분산으로 단일결정 사파이어의 받아서 공급하고, 다른 성장법의 활용에 얻기 어려운 기록 사이즈 이 담긴 접시의 모양으로 어떠한 결정 방위의 사파이어 빛 단결정을 성장하도록 허락합니다.

광학의 특성

전송	0.17 5.5 um에
굴절률	1.06 um에 있는 1.75449 (o) 1.74663 (e)
반사 손실	o-레이 - 11.7%를 위한 1.06 마이크론 (2개 표면)에 ; e-레이 - 14.2%를 위해
흡수지수	0.3 2.4 um에 있는 Ｘ 10-3 cm-1
dN/dT	13.7 5.4 um에 있는 Ｘ 10-6
디엔 / dm = 0	1.5 um

배향	R-비행기, 씨 플레인, A-비행기, M-비행기 또는 규정된 오리엔테이션
자세공차	± 0.3'
지름	2 인치, 3 인치, 4 인치, 6 인치, 8 인치 또는 다른 사람
직경 공차	2 인치 동안 0.1 밀리미터, 3 인치 동안 0.2 밀리미터, 4 인치 동안 0.3 밀리미터, 6 인치 동안 0.5 밀리미터
두께	0.25 밀리미터, 0.33 밀리미터, 0.43 밀리미터, 0.65 밀리미터, 1 밀리미터 또는 다른 사람 ;
두께 공차	25μm
1차 플래트 길이	2 인치 동안 16.0±1.0mm, 3 인치 동안 22.0±1.0mm, 4 인치 동안 30.0±1.5mm, 6 인치 동안 47.5/50.0±2.0mm
1차 플래트 배향	A-비행기 (1 1-2 0 ) ± 0.2' ; 씨 플레인 (0 0-0 1 ) ± 0.2가' C-주축 45 +/- 2를 계획했습니다'
TTV	2 인치 동안 ≤10um, 3 인치 동안 ≤15um, 4 인치 동안 ≤20um, 6 인치 동안 ≤25um
활	2 인치 동안 ≤10um, 3 인치 동안 ≤15um, 4 인치 동안 ≤20um, 6 인치 동안 ≤25um
전면	Epi 닦은 (Ra
뒷 표면	미세 지면 (Ra=0.6μm~1.4μm) 또는 닦은 Epi
패키징	수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다