Winbond 3V 64M BIT 직렬 플래시 메모리 칩 W25Q64 직접 회로 IC

가격	Negotiated
MOQ	1pieces
배달 시간	1-14working days
상표	Winbond
원산지	대만
Certification	ROHS
모델 번호	W25Q64JVZEIQ W25Q64JVZEIM
패키징 세부 사항	튜브 /는 비틀거립니다
지불 기간	전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
공급 능력	50000PCS

제품 세부 정보

제품 사양

Brand Name	Winbond	모델 번호	W25Q64JVZEIQ W25Q64JVZEIM
Certification	ROHS	원산지	대만
최소 명령량	1개 부분	Price	Negotiated
지불 기간	전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔	공급 능력	50000PCS
배달 시간	1-14일	패키징 세부 사항	튜브 /는 비틀거립니다
범주	전자적 컴포넌트스-인테그라테드 회로(IC)	시리즈	스피플래시
세부 사항	플래시 - NOR 메모리 IC 64Mb(8M x 8) SPI - 쿼드 I/O 133MHz 6ns	증가하는 타입	표면 장착
기술	듀얼, 쿼드 SPI 플래시 IC가 있는 3V 64M 비트 직렬 플래시 메모리	패키지	8-WSON(8x6)
타입	플래시 IC -SPI	동작 대기 온도 범위	-40' Ｃ ~ 150' Ｃ
기저부 수	W25Q64	주식	재고 중

제품 설명

W25Q64JV W25Q64JVZEIQ W25Q64JVZEIM Winbond 3V 64M 비트 직렬 플래시 메모리(듀얼, 쿼드 SPI 플래시 포함)

1. 일반 설명
W25Q64JV(64M비트) 직렬 플래시 메모리는 공간, 핀 및 전력이 제한된 시스템을 위한 스토리지 솔루션을 제공합니다.

25Q 시리즈는 일반 직렬 플래시 장치를 훨씬 능가하는 유연성과 성능을 제공합니다.
RAM에 대한 코드 섀도잉, Dual/Quad SPI(XIP)에서 직접 코드 실행 및 음성, 텍스트 및 데이터 저장에 이상적입니다.

이 장치는 2.7V ~ 3.6V 전원 공급 장치에서 작동하며 전력 소비량은 1µA에 불과합니다.

모든 장치는 공간 절약형 패키지로 제공됩니다.

W25Q64JV 어레이는 각각 256바이트의 프로그래밍 가능한 32,768페이지로 구성됩니다.한 번에 최대 256바이트를 프로그래밍할 수 있습니다.

페이지는 16개 그룹(4KB 섹터 지우기), 128개 그룹(32KB 블록 지우기), 256개 그룹(64KB 블록 지우기) 또는 전체 칩(칩 지우기)으로 지울 수 있습니다.W25Q64JV에는 각각 2,048개의 지울 수 있는 섹터와 128개의 지울 수 있는 블록이 있습니다.

작은 4KB 섹터는 데이터 및 매개변수 저장이 필요한 애플리케이션에서 더 큰 유연성을 허용합니다.
W25Q64JV는 표준 SPI(Serial Peripheral Interface), Dual/Quad I/O SPI: 직렬 클록, 칩 선택,

직렬 데이터 I/O0(DI), I/O1(DO), I/O2 및 I/O3.최대 133MHz의 W25Q64JV의 SPI 클록 주파수가 지원됩니다.

빠른 읽기 듀얼/쿼드 I/O를 사용할 때 듀얼 I/O의 경우 266MHz(133MHz x 2) 및 쿼드 I/O의 경우 532MHz(133MHz x4)의 등가 클록 속도.이러한 전송 속도는 표준 비동기식 8 및 16비트 병렬 플래시 메모리를 능가할 수 있습니다.

2. 특징
 SpiFlash 메모리의 새로운 제품군
– W25Q64JV: 64M비트/8M바이트
– 표준 SPI: CLK, /CS, DI, DO
– 이중 SPI: CLK, /CS, IO0, IO1
– 쿼드 SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3
– 소프트웨어 및 하드웨어 재설정(1)
 고성능 직렬 플래시
– 133MHz 싱글, 듀얼/쿼드 SPI 클럭
– 266/532MHz에 해당하는 듀얼/쿼드 SPI
– 최소섹터당 100K 프로그램 지우기 주기
– 20년 이상의 데이터 보존
 저전력, 넓은 온도 범위
– 단일 2.7~3.6V 공급
– <1µA 전원 차단(일반)
– -40°C ~ +85°C 작동 범위
– -40°C ~ +105°C 작동 범위
 4KB 섹터의 유연한 아키텍처
– 균일 섹터/블록 지우기(4K/32K/64K-Byte)
– 프로그래밍 가능한 페이지당 1 ~ 256바이트 프로그래밍
– 지우기/프로그램 일시 중단 및 재개
 고급 보안 기능
– 소프트웨어 및 하드웨어 쓰기 방지
– 특수 OTP 보호
– 상단/하단, 어레이 보호 보완
– 개별 블록/섹터 어레이 보호
– 각 장치에 대한 64-Bit 고유 ID
– 발견 가능한 매개변수(SFDP) 레지스터
– 3X256바이트 보안 레지스터
– 휘발성 및 비휘발성 상태 레지스터 비트
 공간 효율적인 포장
– 8핀 SOIC 208mil
– 8패드 WSON 6x5-mm/8x6-mm
– 16핀 SOIC 300mil
– 8패드 XSON 4x4mm
– 24볼 TFBGA 8x6mm(6x4 볼 어레이)
– 24볼 TFBGA 8x6mm(6x4/5x5 볼 어레이)
– 12볼 WLCSP

사양:

범주	집적 회로(IC)
	메모리
Mfr	윈본드 전자
시리즈	SpiFlash®
패키지	튜브
부품 상태	활동적인
메모리 유형	비휘발성
메모리 포맷	플래시
기술	플래시 - NOR
메모리 크기	64Mb(8M x 8)
메모리 인터페이스	SPI - 쿼드 I/O
클록 주파수	133MHz
쓰기 주기 시간 - 워드, 페이지	3ms
액세스 시간	6ns
전압 - 공급	2.7V ~ 3.6V
작동 온도	-40°C ~ 125°C(TA)
장착 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-WDFN 노출 패드
공급업체 장치 패키지	8-WSON(8x6)
기본 제품 번호	W25Q64

윈본드 전자 주식회사 소개

Winbond Electronics Corporation은 반도체 메모리 솔루션의 선도적인 글로벌 공급업체입니다.이 회사는 제품 설계, R&D, 제조 및 판매 서비스의 전문 역량을 바탕으로 고객 중심의 메모리 솔루션을 제공합니다.Specialty DRAM, Mobile DRAM, Code Storage Flash 및 TrustME® Secure Flash로 구성된 Winbond의 제품 포트폴리오는 통신, 소비자 전자 제품, 자동차 및 산업, 컴퓨터 주변기기 시장의 Tier-1 고객이 널리 사용하고 있습니다.