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| 가격 | Negotiated |
| MOQ | 10pcs |
| 배달 시간 | Negotiable |
| 지불 조건 | T/T, 웨스턴 유니온 |
| 설명 | TX9 시리즈 SMD1210 석영 수정 발진기 SMD 심 밀봉 수정 8pF ±20ppm 32MHz-96MHz | 주식 | 재고 중 |
| 최소 주문량 | 10개 | Price | Negotiated |
| 지불 조건 | T/T, 웨스턴 유니온 | 운송 방법 | 표현하다 |
| 프로덕션명 | TX9 시리즈 SMD1210 석영 수정 발진기 SMD 심 밀봉 크리스털 | 시리즈 | TX9 시리즈 SMD1210 석영 크리스탈 |
| 분류 | 수정, 발진기, 공진기 수정 | 종류 | 솔기가 봉인된 크리스탈 |
| 빈도 | 32MHz 48MHz 50MHz 96MHz ... | 주파수 안정도 | ±30ppm |
| 부하 커패시턴스 | 8pF | 장착형 | 표면 장착 |
| ESR | 32~96Ω | 캡슐화 기술 | 심 씰링 |
TX9
시리즈
SMD1210
석영
수정
발진기
SMD
심
밀봉
수정
8pF
±20ppm
32MHz-96MHz
특징:
크기
1.2
×
1.0,
초소형
및
경량
SMD
크리스탈
0.33mm의
로우
프로파일
초소형
크기를
위해
진공
밀봉된
솔기
높은
정밀도와
높은
신뢰성
자동
장착
가능
리플로우
가능
RoHS
준수
/
무연
명세서:
|
시리즈
|
TX9
|
|
패키지/케이스
|
SMD1210
|
|
빈도
|
50.000000MHz
32.000MHz
48.000MHz...
|
|
씨엘
|
8pF
|
|
주파수
허용차(25±3℃)
|
±20ppm
|
|
작동
온도
|
-40+85℃
|
|
주파수
안정성과
온도
|
±30ppm
|
|
길이
x
너비/크기
|
1.2*1.0mm
|
|
키
|
0.33mm
|
|
ESR
|
32~96Ω
|
|
션트
용량(C0)
|
3.0pF
|
|
보관
온도
|
-55~+125℃
|
|
드라이브
레벨
|
최대
50μW
|
|
노화
|
±5.0ppm/년
|
|
리드
수량
|
4
패드
|
|
캡슐화
기술
|
심
씰링
|
|
MPQ
|
3000
PC
|
|
패키지
유형
|
테이프/릴
|
|
장착
유형
|
SMT
|
|
무연
|
예
|
|
적용
수준
|
소비자
|
|
Partlife
사이클
코드
|
활동적인
|
|
재료
|
석영
크리스탈
|
|
원산지
|
중국
|
전기 사양TX9 시리즈 SMD1210 석영 크리스탈
| 주파수 범위(MHz) | 32~40 | 40~96 | |
| 방법 | AT/기본 | ||
| 부하 용량(CL) | 8pF, 10pF, 12pF 또는 지정 | ||
| 주파수 허용 오차(25°C에서) | ±10ppm~±30ppm 또는 지정 | ||
| 작동 온도 범위 | -20~+70°C 또는 지정 | ||
| 작동 온도 범위에 걸친 주파수 안정성 | ±10ppm ~ ±30ppm 또는 지정 | ||
| 등가 직렬 저항(ESR) 최대 | 150Ω | 100Ω | |
| 보관 온도 범위 | -55~+125°C | ||
| 션트 커패시턴스(C 0 ) | 최대 3pF | ||
| 드라이브 레벨(일반) | 최대 50μW | ||
| 숙성 @25°C 1년(최대) | ±2ppm, ±5ppm | ||
관련 수정 발진기(CMOS):
| 석영 크리스탈 | ||||
| 페이지 | 시리즈 | 치수(mm) | 빈도 | 인주 |
| 1 | TX9 | 1.2×1.0×0.33 | 32MHz~96MHz | 4 |
| 2 | TX8 | 1.6×1.2×0.35 | 20MHz~66MHz | 4 |
| 3 | TX1 | 2.0×1.6×0.5 | 16MHz-96MHz | 4 |
| 4 | TX2 | 2.5×2.0×0.55 | 12MHz-54MHz | 4 |
| 5 | TX3 | 3.2×2.5×0.7 | 8MHz~104MHz | 4 |
| 6 | TX5 | 5.0×3.2×0.9 | 8MHz~100MHz | 4 |
| 7 | TX7 | 7.0x5.0x1.1 | 6MHz-110MHz | 4 |
| 8 | TG5 | 5.0x3.2x1.2 | 8MHz~80MHz | 2 |
| 9 | WX6 |
HC-49S 11.05x4.7x3.68 |
3.2MHz~100MHz | 2 |
| 10 | WX7 |
HC-49S
SMD 12.7x4.8x3.8 |
3.2MHz~100MHz | |
소리굽쇠 크리스탈
| 시리즈 | 치수(mm) | 빈도 | 인주 |
| TS7 | 1.2×1.0×0.5 | 32.768kHz | 2 |
| TS8 | 1.6×1.0×0.5 | 32.768kHz | 2 |
| TS9 | 2.0×1.2×0.6 | 32.768kHz | 2 |
| WX1 | 3.2×1.5×0.75 | 32.768kHz | 2 |
| WX3 | 3.8x8.0x2.5 | 30kHz-350kHz | 4 |
| WX4 | 6.9×1.4×1.3 | 32.768kHz | 4 |
| WX2 | Φ2x6 | 30kHz-350kHz | 2 |
| WT8 | Φ3×8 | 30kHz-350kHz | 2 |
| WA4 | Φ2x6/SMD | 32.768kHz | 2 |
| WX8 | Φ2x6 /SMD | 30kHz-350kHz | 2 |
수정발진기(CMOS)
| 시리즈 | 치수(mm) | 빈도 | 인주 |
| TK2 | 2.5×2.0×0.81 | 32.768kHz | 4 |
| TK3 | 3.2×2.5×0.95 | 32.768kHz | 4 |
| TK4 | 2.5×2.0×0.81 |
32.768kHz 낮은 전류 소비 |
4 |
| TK5 | 3.2×2.5×0.95 |
32.768kHz 낮은 전류 소비 |
4 |
| TC1 | 2.05×1.65×0.75 | 1.5MHz-50MHz | 4 |
| TC2 | 2.5×2.0×0.81 | 1.25MHz-125MHz | 4 |
| TC3 | 3.2×2.5×0.95 | 1.25MHz-125MHz | 4 |
| TC5 | 5.0x3.2x1.2 | 13.7kHz-160MHz | 4 |
| TC7 | 7.0x5.0x1.3 | 13.7kHz-166MHz | 4 |
| TU2 | 2.5×2.0×0.81 |
1MHz-50MHz 초저전력 |
4 |
| TU3 | 3.2×2.5×0.95 |
1MHz-50MHz 초저전력 |
4 |
| TW2 | 2.5×2.0×0.81 |
1.25MHz-100MHz
확장된 작동 온도 범위 |
4 |
| TW3 | 3.2×2.5×0.95 |
1.25MHz-100MHz
확장된 작동 온도 범위 |
4 |
| TN2 | 2.5×2.0×0.81 |
20MHz-60MHz
초저소음 |
4 |
| TN3 | 3.2×2.5×0.95 |
20MHz-60MHz
초저소음 |
4 |
| LO1 | 20.8x12.46x5 | 0.25MHz-180MHz | 4 |
| LO2 | 12.46x12.46x5 | 0.25MHz-180MHz | 4 |
FASTXO 수정 발진기
| 시리즈 | 치수(mm) | 빈도 | 인주 |
| 결핵1 | 2.05×1.65×0.75 | 1MHz-200MHz | 4 |
| TB2 | 2.5×2.0×0.81 | 1MHz-200MHz | 4 |
| TB3 | 3.2×2.5×0.95 | 1MHz-200MHz | 4 |
| 결핵5 | 5.0x3.2x1.2 | 1MHz-200MHz | 4 |
| 결핵7 | 7.0x5.0x1.3 | 1MHz-200MHz | 4 |
| TL2 | 3.2×2.5×0.90 |
10MHz-250MHz 낮은 위상 지터 |
6 |
| TL4 | 5.0x3.2x1.25 |
10MHz-250MHz 낮은 위상 지터 |
6 |
| TL6 | 7.0x5.0x1.45 |
10MHz-250MHz 낮은 위상 지터 |
6 |
수정발진기(LVPECL/LVDS/HCSL/CML)
| 시리즈 | 치수(mm) | 빈도 | 인주 |
| TL3 | 3.2×2.5×0.90 | 10MHz-1500MHz | 6 |
| TL5 | 5.0x3.2x1.25 | 10MHz-1500MHz | 6 |
| TL7 | 7.0x5.0x1.45 | 10MHz-1500MHz | 6 |
| TP3 | 3.2×2.5×0.90 |
10MHz-250MHz
낮은 위상 지터 |
6 |
| TP5 | 5.0x3.2x1.25 |
10MHz-320MHz
낮은 위상 지터 |
6 |
| TP7 | 7.0x5.0x1.45 |
10MHz-320MHz
낮은 위상 지터 |
6 |
| TN7 | 7.0x5.0x1.45 |
70MHz-170MHz
초저위상 지터 |
6 |
| TQ7 | 7.0x5.0x1.45 |
25MHz~75MHz
HCSL |
6 |
VCXO
| 시리즈 | 치수(mm) | 빈도 | 인주 |
| PV3 | 3.2×2.5×0.9 | 10MHz-250MHz | 6 |
| PV5 | 5.0x3.2x1.25 | 10MHz-250MHz | 6 |
| PV7 | 7.0x5.0x1.75 | 10MHz-250MHz | 6 |
| PL3 | 3.2×2.5×0.9 |
10MHz-1500MHz 차동 출력 |
6 |
| PL5 | 5.0x3.2x1.25 |
10MHz-1500MHz 차동 출력 |
6 |
| PL7 | 7.0x5.0x1.75 |
10MHz-1500MHz 차동 출력 |
6 |
| CL5 | 5.0x3.2x1.25 |
30MHz-250MHz 낮은 위상 지터 |
6 |
| CL7 | 7.0x5.0x1.75 |
1.5MHz-200MHz 낮은 위상 지터 |
6 |
| 이력서5 | 5.0x3.2x1.25 |
1.5MHz-170MHz 확장된 작동 온도 범위 |
6 |
| 이력서7 | 7.0x5.0x1.75 |
확장된
작동
온도
범위 1.5MHz-170MHz 확장된 작동 온도 범위 |
6 |
| CV8 | 14.2x9.3x5.4 | 30MHz-250MHz | 6 |
| LV1 |
20.3x12.6x5.0 12.6x12.6x5.0 |
1MHz~80MHz | 4 |
| LV2 | 13.9x9.1x3.6 | 50MHz~125MHz | 4 |
TCXO/VCTCXO
| 시리즈 | 치수(mm) | 빈도 | 인주 |
| VC1 | 2.0×1.6×0.7 | 10MHz~52MHz | 4/6 |
| VC2 | 2.5×2.0×0.7 | 10MHz~52MHz | 4 |
| VC3 | 3.2×2.5×0.9 | 10MHz-52MHz | 4 |
| VC5 | 5.0x3.2x1.1 | 10MHz-52MHz | 4 |
| VC7 | 7.0x5.0x1.9 | 5MHz~52MHz | 4 |
| VC8 | 14.3x8.7x4.9 | 5MHz~40MHz | 6 |
| VP3 | 3.2×2.5×1.6 |
10MHz-1500MHz
|
6 |
| 폭스바겐5 | 5.0x3.2x1.55 |
10MHz-52MHz 높은 정밀도 |
4 |
| VA7 | 7.0x5.0x1.9 |
5MHz~52MHz 높은 정밀도 |
4 |
| VS7 | 7.0x5.0x1.9 |
5MHz~52MHz 지층 3 |
4 |
| VT7 | 7.0x5.0x1.9 |
10MHz-52MHz 고정밀도 및 고온 |
4 |
| VF2 | 20.4x12.8x7.8 | 10MHz-52MHz | 4 |
| WT1 | 18.5x12~91x56 | 1MHz-1500MHz | 4/5 |
OCXO
