4000V MOV 보호 소자, 230pF 민감 성분 칩 배리스터

민감 성분은 상승 과전압 보호를 위해 바리스터 10D511K 510V를 자릅니다

칩 배리스터 10D511K에 대한 도입

MLA (다층한 바리스터), 또한 산화 아연 바리스터 또는 서지 흡수기로 알려진 SMD 과도 전압 억제 소자는 일종의 전압이고 대칭 성질 저항기의 전류-전압 특성입니다. MLA는 또한 다층한 바리스터로 알려진 보호 회로의 효과를 달성하기 위해 빨리 내부 열 도주하는 캐릭터뿐만 아니라 우수한 즉석 에너지 흡수 캐패시티로, 엷은 조각 모양 기술 (다층) 제조업을 통하여 물질을 위해 반도체형 요업 제품 (산화 아연) 입니다.

칩 배리스터 10D511K의 특징

* 엔캡슐이티드는 패키징합니다, SMD가 타이핑합니다.
* LED 조명 기구 전체 제품 디자인과 조화를 이룬 화려한 구내.

* 로에스 한계 순응한

* SMT 흐름 / 리플로우 납땜에 이용 가능합니다

* 저자세와 공간 절약

* 높은 과전류에 견디기 위한 큰 능력

* 우수한 응답과 저인덕턴스 건설

* UL94-V0에 따른 캡슐화 재료

* 작동 온도는 다음을 정렬시킵니다 -40' Ｃ ~ +85' Ｃ

* 저장 온도는 다음을 정렬시킵니다 -40' Ｃ ~ +125' Ｃ

* 대리점 공인 : UL / cUL.CQC, TUV

칩 배리스터 10D511K의 추천된 애플리케이션

* led 라이트닝 드라이버 적용에 적합합니다.
* 스위치 전원.
* 전선, 월 어댑터들

* 전원 공급기

* 가전 제품

* 산업 설비

* 통신 또는 전화 시스템

칩 배리스터 10D511K의 고객 서비스

* 주문 제작 설계와 생산.
* ODM / OEM
* 단말기를 위한 상승 프로텍트아이브 대응책.
* 상승 표준 요구 사항에 시운전.

칩 배리스터 10D511K의 차원

대단히 다음을 권고했습니다
1. 제도판에서, 한 납땜 접합부가 Ｌ 라인, 비 납땜 접합부로서 사용된다는 것이라고 권고됩니다
N 선으로서, 그리고 비 납땜 접합부에 연결된 구리 피부는 이중 감압성인 것 주위에 경로화됩니다
한 납땜 접합부에 속하는 것이 간주되 칩은 전체 지름 Ｄ 선회합니다.

2. 안전성 방전을 위하여, 칩의 원형 에지는 누구로부터 적어도 2.5 밀리미터 떨어져 있어야 합니다

다른 전도성 장치, 위쪽에 수치에 나타난 바와 같이 (상호 변위를 방지하기 위해와 함께

패칭 동안 기타 장치, 면 공간이 더 큰 차가 인 예비를 미안하지만, 허락하고. 좋습니다.니다
3. 직류 회로에서 바리스터의 사용은 부정적인 인수를 가지고 있습니다. 그것은 안에 바리스터를 사용한다고 추천받지 않습니다
정류된 직류 회로. 주의깊게 고려하거나 18128566098에 우리의 회사와 연락하세요
(sales1@ampfort.net), 당신에게 감사하십시요!


칩 배리스터 10D511K의 상술

다른 전압 적용 환경을 위해, 우리는 다음과 같은 압력 감응을 권고합니다
ACLED에게 과전압, 상승과 뇌격 보호를 제공하기 위한 조합.

바리스터가 큰 전압 변동 값, 바리스터와 환경에서 나빠지기 쉽기 때문에
전압은 IC (MOS가 + 램프 비즈를 관을 단다는) 전제 하에 최대한 많이 선택되어야 합니다
램프 위원회에 충분한 내전압과 전압 격변 공간을 가지고 있는 것은 큽니다. A
조합은 큰 흐름과 큰 크기로 바리스터와 높은 값으로 선택되어야 합니다
비용의 전제 하에 최대한 선택되어야 합니다.


칩 배리스터 10D511K의 인증

칩 배리스터 10D511K의 패키지

부록 II : 곡선을 낮추는 펄스의 형식