고전압형
다층
칩
바리스토르
2220
5650
5750
85V
4500A
통신
장비의
급류
억제를
위해
설계된
이
고성능
다층
칩
바리스토르는
나노초
반응
시간으로
신뢰할
수
있는
과전압
보호
기능을
제공합니다.
제품
개요
진크
산화물
바리스터
(zinc
oxide
varistors)
는
주로
진크
산화물과
다양한
금속
산화물
첨가물로
만든
폴리
크리스탈린
반도체
세라믹
요소이다.이러한
전압
제한
보호
장치
보호
회로
요소와
병행
연결,
번개
타격,
정전
전류
방출,
또는
운영
과도기로부터의
회로
손상을
방지하기
위해
나노초
이내에
일시적
과전압을
안전한
수준으로
빠르게
클램프합니다.
주요
특징
-
SMD
컴팩트
디자인
공간
절약
및
생산을
단순화
-
나노초
반응
시간은
다양한
회로
보호
요구
사항을
충족시킵니다.
-
TVS
장치에
비해
우수한
급증
억제
능력
-
125°C에서
감소
없이
높은
온도에서
안정적인
성능
-
낮은
누출
전류
(IL
-
낮은
클램핑
전압의
양방향
비극
보호
-
UL94V-0
염화성
등급의
준수
-
RoHS
환경
표준
준수
신청서
-
자동차
전자제품:
제어
장치,
전기-하이드라울릭
브레이크,
ABS/ESP
시스템,
선천
및
창문
제어
장치
-
산업용
기기,
제어
시스템,
측정
장비,
보안
카메라,
전자
계정
-
5G
통신
기지국,
네트워크
장비,
네트워크
인터페이스,
보호
제어판
-
오디오/비디오
I/O
포트,
고속
데이터
라인
(HDMI,
USB
3.0,
IEEE
1394),
RF
안테나
및
모듈
-
IEC
61000-4-5
급증
보호,
IEC
61000-4-4
EFT
보호
및
IEC
61000-4-2
ESD
보호
(수준
4)
의
준수
기술
사양
|
매개
변수
|
SDVL5650SD850PTHS452
|
RHC5650-850C452A
|
|
제조업자
|
동구안
앰프포트
전자제품
|
동구안
앰프포트
전자제품
|
|
브랜드
|
썬로어드
|
CNAMPFORT
|
|
크기
(L×W)
|
5.9
×
5.1mm
|
5.6
×
5.0
mm
|
|
포장
|
테이프
&
릴
|
테이프
&
릴
|
|
최대
AC
전압
|
60V
|
60V
|
|
최대
DC
전압
|
85V
|
85V
|
|
바리스토르
전압
(분)
|
90V
|
90V
|
|
바리스토르
전압
(형)
|
100V
|
100V
|
|
바리스토르
전압
(최대)
|
110V
|
110V
|
|
최대
클램핑
전압
|
165V
|
165V
|
|
전류
|
4.5KA
|
4.5KA
|
|
에너지
등급
|
21J
|
21J
|
|
작동
온도
|
-55°C
~
125°C
|
-55°C
~
125°C
|
|
장착형
|
표면
장착,
MLCV
|
표면
장착,
MLCV
|
|
패키지/케이스
|
2220
(5750
메트릭)
|
2220
(5650
메트릭)
|
제품
이미지
