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PD57018 Ｅ RF 모스 전기장 효과 트랜지스터 (RF MOSFET) 트랜지스터 검은 RF MOSFET 트랜지스터
중국 PD57018 Ｅ RF 모스 전기장 효과 트랜지스터 (RF MOSFET) 트랜지스터 검은 RF MOSFET 트랜지스터 판매용
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PD57018 Ｅ RF 모스 전기장 효과 트랜지스터 (RF MOSFET) 트랜지스터 검은 RF MOSFET 트랜지스터

가격 Negotiable
MOQ 1000
배달 시간 5-8 work days
상표 ST
모델 번호 PD57018 Ｅ
패키징 세부 사항 패키지 : QFN
지불 기간 전신환
공급 능력 하루당 5k-10k

제품 세부 정보

제품 사양

Brand Name ST 모델 번호 PD57018 Ｅ
최소 명령량 1000 지불 기간 전신환
공급 능력 하루당 5k-10k 배달 시간 5-8 작업 일수
패키징 세부 사항 패키지 : QFN 타입 집적 회로
D/c 2021+ 주파수 - 스위칭 : 표준
출력 전원 18 Ｗ 최소 동작 온도 - 65 Ｃ

제품 설명

상품 이름 :PD57018 Ｅ
제조사 : 스트미크로일렉트로닉스 상품 카테고리 : RF 모스 전기장 효과 트랜지스터 (RF MOSFET) 트랜지스터
트랜지스터 극성 : 엔-채널 기술 : Si
Id 연속적인 드레인전류 : 2.5 A Vds 배수 원천 항복 전압 : 65 Ｖ
저항 위의 Rds On 배수 원천 : 760 모엠에스 동작 주파수 : 1 기가헤르츠
게인 : 16.5 dB 출력 전원 : 18 Ｗ
최소 동작 온도 : - 65 Ｃ 최대 작업 온도 : + 150 Ｃ
설치 방식 : SMD / SMT 패키지 / 건 : PowerSO-10RF-Formed-4
패키지 : 튜브 브랜드 : 스트미크로일렉트로닉스
채널 모드 : 향상 구성 : 단일
앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : 1 Ｓ 높이 : 3.5 밀리미터
길이 : 7.5 밀리미터 습기 민감성 : 예
Pd 전원 산재 : 31.7 Ｗ 상품 종류 : RF MOSFET 트랜지스터
시리즈 : PD57018 Ｅ 공장 패킹량 : 400
하위범주 : MOSFET 타이핑하세요 : RF 전력 MOSFET
브그스 - 게이트-소스 전압 : 20 Ｖ 폭 : 9.4 밀리미터
단일 가중치 : 3 Ｇ  

 

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  • 설립연도: 2009
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